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PECVD氮化硅薄膜钝化特性研究

2021.09.02点击：

采用江苏微导纳米装备科技有限公司生产的管式镀膜设备,使用PECVD的方法制备氮化硅(SiN_x)膜,测试不同工艺温度,射频功率下氮化硅膜的钝化效果,得出最佳工艺条件为:工艺温度450～500℃,射频功率12000W,并在该工艺条件下制备正面膜厚80nm,背面膜厚60nm,折射率2.08-2.10的氮化硅膜,测试该参数下TOPCon电池效率为22.82%。

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