集成电路应用杂志社

摘要：阐述随着逻辑芯片关键尺寸不断减小，要达到高选择比、各向异性和无损伤的蚀刻目标，等离子体脉冲蚀刻技术可以实现以上目标。为此，介绍四种等离子体脉冲蚀刻技术以及完整的等离子体脉冲蚀刻循环的过程。指出通过新型脉冲等离子体蚀刻工艺技术，可显著改善逻辑后段铜互连电路中非限制性方向铜垂直通孔的形貌和尺寸，在保证非限制性方向铜垂直通孔底部尺寸不变的基础上，顶部斜削角尺寸和整体角度同时提升15%。

关键词： 连续等离子体蚀刻;脉冲蚀刻;通孔;上开口尺寸;

DOI： 10.19339/j.issn.1674-2583.2025.05.032

专辑： 信息科技

专题： 无线电电子学

分类号： TN405