MOCVD工艺腔体TDMAT技术的优化分析
2025.12.03点击：
摘要：阐述针对MOCVD工艺中TDMAT沉积氮化钛薄膜存在的技术难题，提出系统性解决方案，包括采用反向吹扫工艺改善TDMAT气化效率，开发Monitor监控程序实现渗漏检出，优化Heater Ratio提高膜厚均匀性，结合Notch旋转管理及腔体打磨改善电弧放电缺陷，有效提升设备uptime和产品良率。
关键词： 集成电路制造;热分解;均一性;等离子处理;
DOI： 10.19339/j.issn.1674-2583.2025.05.033
专辑： 信息科技
专题： 无线电电子学
分类号： TN405
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